編輯:安卓刷機技巧
reinbeau問我總結集成電路洩漏的一種方式,可以黏黏的情況,所以在這裡:
不閃光或擦拭使用ICS改裝
“安全”的內核是下面這篇目前有兩個已知的安全芯片內核的列表,但只有兩個。
這些內核基本上是危險的。三星推出的一些錯誤在eMMC驅動,可以永久損壞手機的eMMC閃存。這會導致無法使用的分區,在最好的,在最壞的hardbricked裝置。失敗的本質是如此嚴重,hardbrick恢復通常的方法(JTAG)是無法恢復這種方式損壞設備。
已確認的影響內核:
所有的ICS洩漏為三星史詩的4G觸摸(sph-d710)
所有的ICS洩漏的三星Galaxy Note(gt-n7000)
xxlpy官方ICS釋放gt-n7000 -至少有一個hardbrick(chasmodo),2人有損壞的分區(無法使用/數據或系統),至少有1人用不上/數據*廠*恢復-擦拭後不只是水煤漿,和一個人hardbricked擦拭後的設置
zslpf官方ICS釋放gt-n7000 - HTTP:/ /論壇。xda-developers。COM/展示…PHP?T = 1661590和HTTP:/ /論壇。xda-developers。COM /顯示……1 # post26275391是第一個報告。
ucld3 IC漏為AT&T三星Galaxy S II(sgh-i777)-其他洩漏也可能會受到影響
利用最新的shw-m250s / K / L的官方源代碼發布截至2012年5月3日-這包括siyahkernel 3.1rc6為gt-i9100建仁(所有其他siyah釋放是安全的)
損害是無法保證它可能只影響一小部分用戶,但即使有5%的幾率比hardbricking由於在安全內核的內核漏洞,有效0%的幾率要危險得多。
此外,一些人還沒有完全hardbrick /數據/系統將成為unwritable,導致手機進入下載模式,可以閃光的內核,可以寫在恢復一些分區,但總體是由於一個或多個臨界分區無法使用。
已確認的安全內核:
所有已知的姜餅內核的Galaxy Note和其他受影響的設備上面列出的
建立從gt-i9100 update4源代碼發布-這包括xplodwild的CM9釋放和我dafuq釋放內核,希望更多的內核的選擇將變得很快
有mmc_cap_erase殘疾人在mshci內核。C應該是安全的,在核-上市的特點,初步的結果是好的看它,沒有磚已報告的人確認為實際運行這樣的內核。
如果您運行的是一個受影響的核:
立即停止使用。閃光安全內核使用奧丁/海姆達爾。
不抹在恢復
不閃光的東西恢復
在一般情況下,不使用回收
現在,我們所知道的:
有些人可以與受影響的內核,因為他們經常想沒有問題,擦。只是因為你沒有磚,不向其他用戶,他們會好起來的。
基於從史詩的4G觸摸社區報告,一些人可以擦/ Flash 20-30次hardbricking -只是因為你沒有磚一次,不要繼續影響內核閃爍
問題的根源是在update4 I9100和shw-m250s update5 - HTTPS之間的變化:/ / GitHub。COM / entropy512 /內核250s_dangerous……
我們所不知道的:
到底哪個源提交上述負責
如何確定未來的內核或釋放源是安全的沒有把用戶設備的風險-你只需要復制問題一旦被沖洗。
*需要*更新那麼多的信號
我的github簡介-一些Android的東西,一些AVR的東西
一個優秀的帖子“菜鳥與開發商“
在內核開發的“良好做法的幾點看法”
注:我選擇不使用XDA的“朋友”的特征-我會拒絕所有傳入的“朋友”的要求。
xda原帖地址:http://forum.xda-developers.com/showthread.php?t=1633943
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